ЧЕРКАССЫ  ИНФОРМАЦИОННО-СПРАВОЧНЫЙ ПОРТАЛ ГОРОДА И ОБЛАСТИ   ГЛАВНАЯ         ВХОД          РЕГИСТРАЦИЯ        КАРТА САЙТА   
Энциклопедии и справочники

Физическая энциклопедия
ИНЖЕКЦИЯ носителей

ИНЖЕКЦИЯ носителей
       
(от лат. injectio — вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД), свет (ф о т и н ж е к ц и я), само электрич. поле (лавинная И.) и т. п. При контактной И. внеш. электрич. поле нарушает равновесие потоков носителей заряда через контакт двух тв. тел с разными работами выхода Ф. При приведении тв. тел в контакт возникают диффузионные потоки носителей, приводящие к тому, что в приконтактной области одно тело заряжается положительно, а другое — отрицательно. Вблизи контакта возникает электрич.
поле, создающее потоки носителей заряда, к-рые компенсируют диффузионные потоки. Если внеш. поле направлено против контактного, то появляется поток избыточных эл-нов из тела с меньшей Ф в тело с большей Ф и поток избыточных дырок в обратном направлении.
И. основных носителей создаёт нескомпенсированный пространств. заряд, поле к-рого препятствует их проникновению в глубь ПП и ограничивает инжекц. ток. И. основных носителей наблюдается в слоях высокоомных полупроводников и диэлектриков, толщина к-рых сравнима с глубиной проникновения неравновесных носителей. Она осуществляется в антизапирающих контактах. В ПП с высокой электропроводностью а (напр., в Ge и Si) И. основных носителей не наблюдается, т. к. глубина их проникновения крайне мала.
При И. неосновных носителей их заряд нейтрализуется основными носителями. Поэтому в ПП с высокой а неосновные носители могут перемещаться за счёт амбиполярной диффузии и амбиполярного дрейфа носителей. Глубина проникновения избыточных носителей ограничивается рекомбинацией. При малой напряжённости электрич. поля она определяется длиной диффузии
(Dt)1/2,
где D — коэфф. амбиполярной диффузии, т — время жизни носителей; в достаточно сильном поле Е она =mЕt; (m — амбиполярная подвижность).
Коэфф. И. наз. отношение тока неосновных носителей через контакт к полному току. И. осуществляется запирающими контактами.
Хотя в ПП с высокой s И. основных носителей не происходит, вблизи антизапорных контактов всё же возможно появление неравновесных носителей заряда. Внешне это явление (т. <н. аккумуляция) напоминает И., но имеет др. природу. Оно наблюдается при таком направлении поля, когда неосновные носители движутся к контакту. При включении поля ток неосновных носителей через антизапирающий контакт меньше, чем в объёме ПП, и они накапливаются вблизи контакта. Заряд избыточных неосновных носителей нейтрализуется непрерывно натекающими из объёма основными. Глубина области накопления значительно превосходит длину экранирования. В слабых полях она =(Dt)1/2, в сильном поле она меньше. И. лежит в основе работы многих ПП приборов.

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1983.



Наверх

Ротатор баннеров 468x60

Баннеров в ротаторе: 0   Смотреть все   Добавить баннер
 

 
Добавить баннер

Добавить баннер       Партнерка для Вашего сайта



Ротатор баннеров 88x31

Баннеров в ротаторе: 0   Смотреть все   Добавить баннер